В начале 2010-х годов компания HTC была одним из лидеров рынка смартфонов, она первой сделала ставку на конструкцию из алюминиевого сплава и камеру с технологией Ultra-Pixel, однако на фоне бурного роста китайских компаний мобильное подразделение HTC не смогло выдержать конкуренцию и стало стабильно убыточным.
Источники сообщили первые подробности о новом смартфоне HTC Desire 20 Pro, который должен быть представлен в ближайшее время. По имеющимся данным, в плане дизайна лицевой панели HTC Desire 20 Pro будет похож на OnePlus 8, а сзади новинка будет напоминать Xiaomi Mi 10. При этом смартфон получит разъем 3,5 мм для подключения наушников.
Инсайдер под ником LlabTooFeR, который предоставил данную информацию, в прошлом неоднократно первым сообщал сведения о новых устройствах этого производителя, поэтому он заслуживает доверия. LlabTooFeR добавляет, что смартфон HTC Desire 20 Pro проходит под кодовым названием Bayamo.
Кроме того, смартфон уже появился в базе данных тестового приложения GeekBench, после чего стало известно, что смартфон построен на базе однокристальной системы Qualcomm, он оснащен 6 ГБ оперативной памяти и работает под управлением операционной системы Android 10.
Судя по результатам, которые показал HTC Desire 20 Pro в GeekBench, это смартфон среднего класса. Это кажется разумной идеей, потому что выпуск полноценного флагмана сегодня для компании вряд ли бы оправдался успехом.
Asus представила слабый мини-ПК Mini PC VM31 на устаревшем железе из-за кризиса
Сделка на $14 млрд: Core Scientific переоборудует биткоин-ферму в ИИ-дата-центр с чипами AMD
Испытания детектора CERN: выдержит ли 300 тысяч вольт ради работы на глубине полтора километра
В России создали регламент для роботов-доставщиков
Отказ от советских стандартов: российскую микроэлектронику ждет перезагрузка
Представлен Samsung Galaxy F70 Pro: доступный смартфон с батареей на 6000 мАч и 6 годами обновлений
Память дорожает: вслед за Nvidia компания AMD поднимает цены на GPU и ускорители
Российские ученые создали транзисторы толщиной 0,65 нм в обход кремниевой технологии