Согласно обнародованным ранее планам южнокорейской компании SK Hynix, во второй половине 2016 года она собиралась приступить к выпуску второго поколения многослойной памяти 3D NAND. Первое поколение многослойной флеш-памяти 3D NAND компания начала массово выпускать в третьем квартале 2015 года. Это были 36-слойные микросхемы ёмкостью 128 Гбит с MLC-ячейкой (по два бита данных в ячейке).
К сожалению, за прошедшее с тех пор время SK Hynix не смогла увеличить объёмы выпуска 3D NAND до значительных объёмов. К настоящему времени она вышла на объём 10 тыс. 300-мм пластин в месяц, что едва ли не на порядок меньше, чем способна выпускать 3D NAND компания Samsung. Значительно поднять объёмы производства 3D NAND компания SK Hynix обещает до конца текущего года.
Микросхемы NAND флеш-памяти SK Hynix
По сообщению интернет-издания The Korea Economic Daily, до конца текущего месяца компания SK Hynix приступит к массовому выпуску второго поколения 3D NAND в виде 48-слойных 256-Гбит микросхем с трёхбитовой ячейкой (TLC). До конца года объёмы производства 48-слойных микросхем будут доведены до 20–30 тыс. 300-мм пластин в месяц. Иначе говоря, SK Hynix удвоит и даже утроит выпуск многослойной памяти, что обещает положительно сказаться на формировании цен на твердотельные накопители. Достигнутые объёмы производства доведут долю 3D NAND в потоке флеш-памяти SK Hynix до 15 %.
Аналитики компании IHS Markit подсчитали, что в текущем году доля 3D NAND достигнет уровня 23,6 %. Год назад многослойная память удерживала только 6,7 %, а всё остальное — это была планарная память NAND-флеш. В 2017 году, как прогнозируется, доля 3D NAND достигнет 57,8 % и начнёт доминировать на рынке, обещая сделать носители на флеш-памяти ещё доступнее по цене.
Планы SK Hynix в области 3D NAND флеш-памяти (TechInsights)
К слову, компания SK Hynix станет вторым после Samsung производителем, освоившим выпуск 48-слойной 3D NAND. Следующей целью компании станет внедрение в производство 72-слойной флеш-памяти, что ожидается во второй половине 2017 года. Похоже, SK Hynix решила пропустить этап производства 64-слойной 3D NAND и намерена в «прыжке» обогнать Samsung и Toshiba, которые приступили или приступят к выпуску 64-слойной памяти во второй половине текущего года.
Источник:
