В понедельник, 10 апреля, компания SK Hynix анонсировала первую на рынке 72-слойную память 3D NAND flash. Её серийное производство начнётся через несколько месяцев.
Во втором квартале 2016 года SK Hynix поставила на конвейеры 36-слойную флеш-память, а в ноябре запустила производство 48-слойных чипов. Массовый выпуск 72-слойной памяти намечен южнокорейской компанией на вторую половину нынешнего года.

Новые микросхемы памяти 3D TLC NAND плотностью 256 Гбит будут изготавливаться на существующих производственных линиях, где в настоящее время выпускаются 48-слойные решения.
В SK Hynix заявляют, что 72-слойная память обладает двукратным превосходством в части скорости внутренней работы и 20-процентным приростом быстродействия при операциях чтения/записи по сравнению с чипами на 48-слойной архитектуре. Плотность новых кристаллов в 1,5 раза больше.
wsj.com
72-слойная память найдёт применение в новом поколении твердотельных устройств (SSD) и накопителей eMMC. Отраслевые эксперты, на которых ссылается издание Yonhap, ожидают, что спрос на продукты 3D NAND будет расти благодаря развитию технологий искусственного интеллекта, больших данных и облачных вычислений. По прогнозам Gartner, мировые продажи флеш-памяти в 2017 году достигнут $46,5 млрд.
SpaceX заняла две трети орбиты: число запущенных спутников Starlink превысило 11 000
Популярные смартфоны Xiaomi и Redmi лишились официальной поддержки и обновлений
В Европе стартовали продажи пауэрбанка Ugreen Nexode на 20 000 мАч с экраном и зарядкой 55 Вт за 70 евро
В Сети появились первые данные о Samsung Galaxy A58
Неанонсированный Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro уже поступил в продажу в Китае
Для защиты от морозов в -170 °C: Firefly доставит на Луну 5-ваттный радиоизотопный обогреватель
Складной электровелосипед Ride1Up Portola 02: доступная цена, высокая мощность и запас хода до 96 км
HMD выпустит два тонких пауэрбанка на 10 260 мАч с магнитной зарядкой Qi2