Компания Blue Origin, которая стремиться стать конкурентом для SpaceX, успешно испытала самый большой ракетный двигатель в США.
Двигатель BE-4 успешно прошёл испытания ещё в начале месяца, но видео компания опубликовала значительно позже.
BE-4 очень важен не только для самой Blue Origin, но и для космической отрасли США в целом, так как этот двигатель будет использоваться сразу в трёх ракетах: Ariane 6 компании Arianespace, Vulcan Centaur компании ULA и New Glenn самой Blue Origin. И с разработкой двигателя у последней дела долгое время шли не очень хорошо, а планы по его выпуску многократно переносились в течение пяти лет.
You asked for video – we listened. Notable milestones for this #BE4 test included: ????Warm LOX/cold LNG start transient demonstration (bounding condition) ????First engine to eclipse 4000 seconds of accumulated hotfire test time, ultimately achieving 5000+ seconds. pic.twitter.com/pLbUEdrzqG
— Blue Origin (@blueorigin) May 11, 2022
BE-4, согласно спецификациям, способен создавать тягу в 2,45 МН на уровне моря. Для сравнения, Raptor 2 компании SpaceX на испытаниях развивал тягу в 2,36 МН. При этом новая ракета-носитель SpaceX сможет выводить на низкую околоземную орбиту до 100 тонн груза, а New Glenn сможет лишь 45 тонн, что обусловлено попросту большим количеством двигателей у первой.
Первые запуски всёх трёх ракет на BE-4 запланированы на текущий год, если Blue Origin доделает свой двигатель в срок.
Asus представила слабый мини-ПК Mini PC VM31 на устаревшем железе из-за кризиса
Сделка на $14 млрд: Core Scientific переоборудует биткоин-ферму в ИИ-дата-центр с чипами AMD
Испытания детектора CERN: выдержит ли 300 тысяч вольт ради работы на глубине полтора километра
В России создали регламент для роботов-доставщиков
Отказ от советских стандартов: российскую микроэлектронику ждет перезагрузка
Представлен Samsung Galaxy F70 Pro: доступный смартфон с батареей на 6000 мАч и 6 годами обновлений
Память дорожает: вслед за Nvidia компания AMD поднимает цены на GPU и ускорители
Российские ученые создали транзисторы толщиной 0,65 нм в обход кремниевой технологии