Корпорация Samsung Electronics готовится к старту первичного серийного выпуска оперативной памяти стандарта 1D DRAM в первой половине предстоящего года.
Технология 1D подразумевает переход к нормам техпроцесса в диапазоне от 10 до 11 нанометров. Для сравнения: актуальное поколение памяти 1C (шестое поколение 10-нм класса) изготавливается по стандартам 11–12 нанометров. Постепенное уменьшение техпроцесса позволяет существенно нарастить быстродействие чипов и снизить их энергопотребление.
На данный момент Samsung проводит внутренние испытания, включая создание прототипов 1D DRAM. Ранее в индустрии звучали прогнозы о возможности массового производства уже в текущем году, однако эксперты называли подобные ожидания излишне оптимистичными, указывая на то, что необходимое для выпуска такой памяти оборудование все еще проходит стадию инженерной доработки.
Согласно последним данным, Samsung Electronics планирует приступить к вводу производственных линий для 1D DRAM во втором квартале будущего года — соответствующие договоренности сейчас прорабатываются с технологическими партнерами. С учетом времени, требуемого на отладку технологических процессов, старт полноценного массового выпуска ожидается ближе к концу следующего года.
«Компания ведет интенсивную работу совместно с ключевыми поставщиками оборудования, стремясь стабилизировать уровень выхода годных кристаллов и обеспечить высокую производительность 1D DRAM, — прокомментировал ситуацию источник в полупроводниковом секторе. — Несмотря на возможные корректировки сроков, приоритетной задачей остается запуск производственных мощностей во втором или третьем квартале следующего года».
Источник: iXBT
_large.jpg "Прорыв в квантовых технологиях: создан детектор гравитационных волн")
