Компания Samsung анонсировала начало массового производства девятого поколения памяти QLC V-NAND, став первой в индустрии. В пресс-релизе уточняется, что данный продукт предназначен для эпохи искусственного интеллекта.
Новая память QLC имеет емкость 1 Тбит, что эквивалентно 128 ГБ. Samsung утверждает, что эта разработка позволит создавать накопители с еще большей емкостью.
В памяти внедрены новейшие технологии, такие как травление отверстий каналов, проектирование пресс-форм и Predictive Program, обеспечивающие высокую плотность при компактных размерах и увеличенную надежность операций чтения и записи.
Новая память потребляет на 30-50% меньше энергии по сравнению с предыдущим поколением, демонстрирует двойное увеличение производительности и на 60% более высокую скорость ввода/вывода данных.
Источник: iXBT
