Компания Samsung сообщила о начале массового производства QLC V-NAND девятого поколения, став первой в отрасли, кто приступил к этому. В своем пресс-релизе компания подчеркнула, что этот продукт задуман специально для эпохи искусственного интеллекта.
Речь идет о QLC памяти с емкостью 1 Тбит, что эквивалентно 128 ГБ. Компанией отмечается, что новая память создаст возможности для более ёмких накопителей.
В новой памяти применены технологии травления отверстий каналов, проектирования пресс-форм и Predictive Program, что обеспечивает высокую плотность памяти при компактных размерах и увеличенную надежность операций чтения и записи.
Новая память потребляет на 30-50% меньше энергии по сравнению с предыдущим поколением, демонстрируя вдвое большую производительность и на 60% более высокую скорость ввода/вывода данных.
Источник: iXBT
