Компания Samsung Electronics рассматривает возможность потратить более 10 млрд долларов на строительство самого современного завода по производству логических микросхем в Соединенных Штатах. Компания надеется, что это крупное вложение привлечет больше клиентов в США и поможет ей догнать лидера отрасли TSMC.

Информаторы, знакомые с вопросом, сообщили, что крупнейший в мире производитель микросхем памяти и смартфонов изучает возможность строительства завода в Остине, штат Техас. На этом предприятии планируется освоить нормы 3 нм.
Источники уточняют, что это предварительный план, который может измениться в будущем. Пока планируется начать строительство в этом году, установить основное оборудование в следующем и приступить к выпуску продукции в 2023 году.
ИИ-агент Google DeepMind справился с 9 нерешёнными задачами Эрдёша, две из которых оставались без ответа 56 лет
Физики нашли более эффективный способ достичь термоядерного зажигания
Восемь американских штатов обратились в суд против OpenAI из-за угроз для детей со стороны ChatGPT
Учёные добились распознавания отдельных молекул аминокислот с точностью более 80%
Утечка радиоактивной воды на АЭС «Онагава» в Японии: энергоблок остановлен из-за неисправного клапана, пропускающего около 200 литров в час
Asus впервые за пять лет представила видеокарту с графическим процессором Intel, но геймерам она не предназначена
OneXPlayer Super X Pro — игровой планшет с 192 ГБ ОЗУ и ценой свыше 8000 долларов в топовой версии
Nvidia не собирается отказываться от GeForce RTX 5090, хотя достать эту видеокарту всё труднее