Компания Samsung Electronics рассматривает возможность потратить более 10 млрд долларов на строительство самого современного завода по производству логических микросхем в Соединенных Штатах. Компания надеется, что это крупное вложение привлечет больше клиентов в США и поможет ей догнать лидера отрасли TSMC.

Информаторы, знакомые с вопросом, сообщили, что крупнейший в мире производитель микросхем памяти и смартфонов изучает возможность строительства завода в Остине, штат Техас. На этом предприятии планируется освоить нормы 3 нм.
Источники уточняют, что это предварительный план, который может измениться в будущем. Пока планируется начать строительство в этом году, установить основное оборудование в следующем и приступить к выпуску продукции в 2023 году.
Зачем мы всё усложняем: разрушительный эффект гипераннализа
Запасы памяти у Samsung и SK hynix истощились до критических 10 дней
Teclast Aurora: представлен SSD на 8 ТБ за 730 долларов
Стартовали предзаказы на Xiaomi 18 Pro: топовая камера Lofic и процессор Snapdragon с частотой выше 5 ГГц
ИИ GPT-6 Astra прошел Portal автономно, потратив почти сутки и $571
Windows 11 будет отлично работать и с 8 ГБ оперативной памяти
«Аэрофлот» закупает отечественные аналоги Boeing и Airbus: поставки МС-21 начнутся в 2029 году
Первые МС-21 на замену Boeing и Airbus: «Аэрофлот» озвучил сроки поставки