Компания Samsung намерена в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс. Для этого техпроцесса придется существенно изменить конструкцию транзистора, фактически создав транзистор нового поколения.
Сейчас специалисты Samsung работают над технологией Gate-All-Around FET (GAAFET), которая обеспечит намного лучшее управление каналом и предотвратит утечку при уменьшении размеров элементов. Однако для 3 нм необходимо сделать следующий шаг. Южнокорейский производитель рассказал о соответствующей разработке под названием Multi Bridge Channel FET или MBCFET. Именно она будет использоваться в 3-нанометровых микросхемах.
Отметим, что MCBFET является частным случаем более общего подхода, принятого в GAAFET. При этом MCBFET, по оценке Samsung, позволит уменьшить энергопотребление вдвое и повысить скорость на 30%. Площадь, занимаемая транзистором, уменьшится на 45%. Стоит уточнить, что сравнение проводится с неким 7-нанометровым техпроцессом, вероятно, с техпроцессом Samsung, построенным на использовании FinFET. Интересной особенностью MCBFET является возможность укладывать транзисторы друг на друга, чтобы использовать еще меньше места по сравнению с обычным FinFET. Также можно менять ширину транзисторов в стеке, адаптируя его под определенные технические требования, например, по энергопотреблению или быстродействию.
Источник: iXBT
