Литография в глубоком ультрафиолете позволила увеличить производительность DRAM на 20%.
Samsung Electronics объявила о запуске массового производства 14-нанометровой памяти DRAM. Впервые за несколько лет компания раскрыла точный техпроцесс, а не ограничилась классом или маркетинговым термином (вроде 1z).
Уменьшить нормы удалось благодаря применению фотолитографии в глубоком ультрафиолете с пятью слоями EUV. По заявлению Samsung, это было бы невозможно при использовании «классического» фторида аргона (ArF).
Общая производительность DRAM по сравнению с прошлым поколением выросла примерно на 20%. Новая конструкция позволяет снизить энергопотребление, либо увеличить плотность кристаллов — в разработке уже находятся чипы на 24 ГБ.
Сам же стандарт DDR5, который будет поддерживаться аппаратными платформами Intel Alder Lake и AMD Zen 4, обеспечивает скорость передачи данных на уровне 7,2 Гбит/с, превышая средние показатели DDR4 более чем в два раза.
Ранее компания ADATA заявила о разгоне оперативной памяти DDR5 до 8,4 Гбит/с с помощью технологии Memory Boost на материнских платах MSI.
