Samsung применит 2-нм техпроцесс для производства логических слоев в полузаказной памяти HBM

Корпорация Samsung Electronics нацелена на освоение передового 2-нанометрового техпроцесса для выпуска ключевых компонентов памяти HBM. Подобный шаг призван существенно укрепить позиции южнокорейского гиганта в противостоянии с такими игроками рынка, как SK hynix и Micron.

Важно уточнить, что технологическое обновление затронет производство базовых логических кристаллов, которые служат фундаментом для стеков высокоскоростной памяти и отвечают за управление данными. С приходом стандарта HBM4, дебют которого в составе ИИ-ускорителей ожидается уже в текущем году, архитектура этих чипов претерпела изменения: теперь они создаются с применением классических литейных (foundry) технологий вместо привычных методов производства оперативной памяти DRAM.

Стоит отметить текущую ситуацию с технологическими нормами: логический слой HBM4 от Samsung, по имеющимся сведениям, базируется на 4-нм литографии (вероятно, из семейства SF4). Для сравнения, основной конкурент в лице SK hynix задействует 12-нм техпроцесс на производственных линиях тайваньской TSMC.

Амбиции Samsung простираются еще дальше: компания планирует использовать ультрасовременный 2-нм узел для выпуска кастомизированных решений. Данная стратегия предполагает интеграцию специфических функций, необходимых конкретным заказчикам, непосредственно в архитектуру логического чипа. Подобная гибкость проектирования позволит Samsung предложить уникальные возможности, недоступные в продукции других производителей.

Источник: iXBT