Samsung представила прототип памяти 3D NAND с рекордными 900 слоями

Компания Samsung Electronics представила концептуальный образец передовой 3D NAND памяти с рекордной 900-слойной архитектурой. Чтобы достичь столь впечатляющего показателя, инженеры применили прогрессивный метод CMB (Cell-on-Cell/multi-layer bonding), объединив два 450-слойных модуля в единый массив. Как сообщает ITHome со ссылкой на южнокорейские источники, функциональность прототипа уже успешно прошла первичные тесты.

Данная методика «сращивания» двух сложных NAND-стеков требует ювелирной точности при центровке слоев и безупречной надежности межсоединений. По сути, специалистам Samsung удалось сформировать монолитную 900-слойную конструкцию с беспрецедентной плотностью размещения элементов.

В процессе проектирования разработчики успешно справились с рядом критических вызовов: предотвратили коробление полупроводниковых пластин, радикально снизили риск погрешностей при совмещении уровней с помощью инновационной системы коррекции наложения, а также переработали топологию бит-линий (BL) и ворд-линий (WL). Эти улучшения позволили не только уменьшить габариты готового кристалла, но и значительно повысить энергоэффективность изделия.

Реализация проекта 900-слойной NAND-памяти знаменует собой качественный скачок в развитии технологий хранения данных, открывая перспективы для существенного наращивания емкости накопителей будущего.

Источник: iXBT