Накопитель разработан по технологии V-NAND 4-го поколения
SSD-накопители становятся все более популярными системами для хранения информации. Основная причина — производство SSD удешевляется, цена накопителей снижается, плотность записи информации — увеличивается. Сейчас они доступны для гораздо более широкого круга покупателей, чем еще 2-3 года назад. Производители не останавливаются на достигнутом и стараются разрабатывать все более совершенные, быстрые и энергоэффективные накопители с большим объемом памяти.
На днях компания Seagate представила самый емкий в мире SSD с объемом в 60 ТБ. Корпорация Samsung объявила о выходе несколько менее емкого накопителя объемом в 32 ТБ. Зато эта система создавалась по технологии V-NAND 4-го поколения, благодаря чему удалось добиться более плотного размещения информации и уменьшить размер накопителя. Размер SSD от Samsung — 2,5 дюйма, от Seagate — 3,5.
Новый SSD не предназначен для установки в обычные ноутбуки или ПК. Этот накопитель позиционируется, как корпоративная система хранения информации. SSD от Samsung будет устанавливаться в серверное оборудование, системы хранения данных. Телекоммуникационные компании, работающие со все быстрее увеличивающимся потоком данных, требуют у производителей выпускать все более емкие системы хранения данных с увеличенной плотностью записи информации. Компания старается выпускать решения, соответствующие современным потребностям таких компаний.
Samsung планирует достичь объема в 100 ТБ для обычного SSD к 2020 году. Как уже говорилось выше, 32 ТБ SSD от Samsung является первым устройством, созданным по технологии V-NAND четвертого поколения. V-NAND это технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND. Ячейки памяти разбираются не только в плоскости, но и по вертикали, послойно. В текущем SSD используется память с 64-мя слоями. В третьем поколении V-NAND было 48 слоев.
В 48-уровневом массиве вертикальные слои составляли единое целое благодаря соединению через 1,8 миллиардов отверстий канала. Такие отверстия создаются при помощи особой техники травления. В каждом чипе, изготовленном по предыдущей методике, в итоге, содержится 85,3 миллиарда ячеек. Каждая ячейка хранит 3 бита данных. Чип 3-го поколения V-NAND обеспечивает хранение 256 ГБ данных. Такие чипы укладываются слоями.
По словам представителей корпорации Samsung, 32 ТБ модель более быстрая и более надежная, чем предыдущий рекордсмен объемом в 15,36 ТБ. Спецификации нового диска будут представлены позже, хотя уже есть некоторые технические подробности. Эта модель SSD относится к SAS (serial-attached SCSI) типу накопителей. Она несовместима с NVMe слотами, которые становятся все более распространенными в устройствах хранения данных нового типа. В Samsung считают, что SAS будет доминировать в ближайшем будущем, поэтому в ближайшее время компания планирует выпускать SSD именно такого типа.
Южнокорейская корпорация также представила Z-SSD, NAND flash память, которая позиционируется, как хранилище для дата-центров, где будет размещаться кэш или другие временные данные. Такие типы носителей предназначены для установки во флеш-массивы, где во время проведения обработки крупных массивов данных высоконагруженными компьютерными системами хранятся промежуточные результаты вычислений. Скорость последовательной записи данных в Z-SSD в 1,6 раз выше аналогичного показателя накопителя Samsung PM963 NVMe SSD. Z-SSD выпустят на рынок в следующем году.
