Компания Samsung приступила к отправке первых в отрасли образцов 12-слойной памяти HBM4E ключевым глобальным партнерам. Это поколение выступает логическим развитием продуктовой линейки HBM, став следующим шагом после успешного запуска массового производства и коммерческих поставок HBM4, состоявшегося ранее в этом году.
Разработчики Samsung подчеркивают, что архитектура HBM4E создана специально для высокопроизводительных ИИ-систем и обучения масштабных языковых моделей. Память демонстрирует стабильную скорость обмена данными на уровне 14 Гбит/с с потенциалом роста до 16 Гбит/с, при этом пропускная способность стека достигает 3,6 ТБ/с. Текущая 12-слойная конфигурация обладает емкостью 48 ГБ, что превышает показатели предыдущего поколения более чем на 30%. В перспективе модельный ряд будет дополнен вариантами на 32 ГБ и 64 ГБ.
Благодаря глубокой модернизации архитектуры и технологий упаковки чипов, производителю удалось повысить энергоэффективность на 16%, а также улучшить параметры теплоотвода более чем на 14% по сравнению с предшествующими решениями.
Samsung намерена приступить к серийному выпуску HBM4E после завершения цикла тестирования образцов, опираясь на утвержденные графики своих заказчиков.
Источник: iXBT
