2.5 дюймовый SSD с интерфейсом Serial Attached SCSI (SAS) на 12 Гбит/с предназначен для использования в системах хранения данных премиум класса. PM1633a предоставляет потрясающую производительность, скорость случайного чтения и записи достигает 200,000 и 32,000 операций ввода/вывода за секунду (IOPS). По словам специалистов компании — это позволяет достичь скорости передачи данных до 12 000 Мбит/с. Также компания заявляет, что классический SSD с интерфейсом SATA может достигнуть максимума, приблизительно в 5,5 — 6 Гбит/с.
Поскольку PM1633a производится в форм-факторе 2,5 дюйма, он комфортно поместится в стандартных серверных платформах и не только. Кроме того SSD устанавливает новую планку для устойчивости всех последующих накопителей — заявлял Samsung. Диск PM1633a на 15.36 TБ поддерживает одну полную перезапись за день. Это означает, что можно каждый день записывать/переписывать 15.36 TБ данных на один накопитель без сбоев в работе.
SSD может записать до раз 10 больше данных, чем типичный SATA SSD на основе MLC и TLC NAND флэш-технологий. Samsung также заявляет, что делает ставку на новую линейку PM1633a, как на неоспоримых фаворитов среди жестких дисков для систем хранения данных премиум класса. Но проблема заключается в том, что Samsung до сих пор не озвучили даже приблизительную цену на новую сверхъемкий линейку SSD накопителей. Как мы с вами знаем, по стоимости SSD так и не смогли обойти классические HDD-диски.
Как сообщил в своем заявлении Джанг-Би Ли(Jung-bae Lee) — старший вице-президент по разработке приложений Samsung Electronic:
Для того, чтобы удовлетворить растущую потребность рынка в ультра-высокой производительности SAS SSD-накопителей от ведущих производителей систем хранения данных премиум класса, мы направляем все наши усилия на удовлетворению потребностей наших клиентов в SSD-накопителях.
Производительность PM1633a SSD основывается на четырех факторах: 3D NAND (вертикальная NAND или V -NAND) чипы памяти; 16 ГБ DRAM; фирменный чип контроллера от Samsung; интерфейс 12 Гбит/с SAS. Скорость случайного чтения/записи в 1000 раз превышает скорость случайного чтения/записи жестких дисков с SAS-интерфейсом. Также скорость последовательного чтения и записи более чем в два раза превышает скорость типичного SSD с интерфейсом SATA, как говорится в сообщении компании.
Объединение 512 микрочипов памяти от Samsung 256 Гбит V-NAND позволяет SSD беспрецедентные 15.36 TБ емкости для хранения данных в одном накопителе. Архитектура V-NAND или 3D NAND позволяет укладывать NAND ячейки одну на другую, как микроскопический небоскреб. Мало того, что она в два раза плотнее стандартных NAND чипов от 128 ГБ к 256 ГБ, данная архитектура также увеличивает производительность.
Samsung изначально объявил о 48-слойный V-NAND в августе прошлого года, говоря, что это спортивные соревнования за 3-бита на ячейку в многоуровневых ячейках (MLC) NAND.
Samsung 256 Гбит, 3D NAND микрочипы. Samsung начал массовое производство первых в отрасли 256 Гб 3D вертикальных NAND (V-NAND) микрочипов флэш-памяти на основе 48 слоев 3-битных многоуровневых-ячеек (MLC) в прошлом году.
В микросхеме V-NAND каждая клетка использует ту же 3D структуру Charge Trap Flash (CTF), в которой матрицы ячеек сложены вертикально, чтобы образовать 48-уровневый массив. Этот массив соединен через 1,8 миллиарда отверстий канала вертикально. Сами же отверстия образуются при помощи специальной технологии травления. В общей сложности каждая микросхема содержит более 85,3 миллиарда ячеек. Каждый из них может хранить 3 бита данных. В результате чего получится 256 миллиардов бит данных, другими словами — 256 Гб места на чипе.
Из микрочипов на 256 Гб формируются блоки объемом 512 ГБ, которые укладываются слоями для обеспечения необходимого объема в 15 с лишним терабайт. В общей сложности в PM1633a SSD-накопителе содержится порядка 32 блока на 512 ГБ. Ожидается, что с использованием третьего поколения технологий V-NAND Samsung на 256 Гб, производительность PM1633a повысится и станет более надежной, чем у его предшественника PM1633. Прежняя модель использует второе поколение 128 ГБ V-NAND Samsung на 32 слоя.
В 2014 году Samsung стала первой компанией, которая представила флэш-чип 3D NAND с 3-битной MLC архитектурой. В октябре 2014 года компания объявила о массовом производстве чипа V-NAND на 32 слоя. В августе прошлого года представители компании сделали новое заявления о запуске массового производства чипов V-NAND 48-слойных.
В то время, как Samsung может занять первенство в создании SSD на 15 ТБ, в разработке чипов на 48-слоев 3D NAND есть и другие лидирующие компании. В прошлом году SanDisk и Toshiba объявили, что они также готовятся к производству микрочипов 256 Гб 3-бит на ячейку (X3) 48 слоев 3D NAND, пропускная способность которых будет в два раза выше их более ранних моделей.
Intel и Micron также объявили о 3D NAND. Обе компании хвастаются тем, что их технология позволит создавать SSD-накопители с объемом памяти от 3,5 ТБ до 10 ТБ при сохранении форма-фактора 2,5 дюйма.
Наряду с моделью 15.36 TБ в ближайшем будущем Samsung предложит PM1633a SSD с 7.68 TБ, 3.84 ТБ, 1.92 ТБ, 960 ГБ и 480 ГБ. Поскольку SSD-накопители нацелены на предприятия и будут продаваться посредникам, определяющими розничную стоимость, Samsung не называет свои собственные цены на данные накопители.
