На мероприятии HotChips 33 компания Samsung рассказала подробнее о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.
В этих модулях используются восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них упаковано восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. При этом, работая при напряжении питания всего 1,1 В, она потребляет на 13% меньше электроэнергии.
Вместе с тем, по оценке Samsung, массовый рынок перейдет от DDR4 к DDR5 не ранее, чем в 2023 иди даже в 2024 году. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленным преимуществам сопутствует более высокая цена. Неудивительно, что первыми на DDR5 перейдут суперкомпьютеры и серверы. Южнокорейский производитель подтвердил намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце текущего года.
Неанонсированный Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro уже поступил в продажу в Китае
Для защиты от морозов в -170 °C: Firefly доставит на Луну 5-ваттный радиоизотопный обогреватель
OtterBox: чехлы от iPhone 17 Pro подойдут и для следующего iPhone 18 Pro
Windows 11 позволит блокировать камеру и микрофон для отдельных приложений: функция уже тестируется инсайдерами
133 ПБ данных и 4,6 млн циклов: энтузиаст проводит масштабный многолетний тест 300 карт microSD
Не мясом единым: как сахар и фрукты увеличили человеческий мозг в 5 раз за 4 миллиона лет
Впервые за 370 лет: 31 декабря 2028 года произойдет редкое новогоднее лунное затмение
Чипы Intel Wildcat Lake, скромный экран и слабый аккумулятор за $700: представлен ноутбук 2026 года Dell 15 D15261