На мероприятии HotChips 33 компания Samsung рассказала подробнее о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.
В этих модулях используются восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них упаковано восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. При этом, работая при напряжении питания всего 1,1 В, она потребляет на 13% меньше электроэнергии.
Вместе с тем, по оценке Samsung, массовый рынок перейдет от DDR4 к DDR5 не ранее, чем в 2023 иди даже в 2024 году. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленным преимуществам сопутствует более высокая цена. Неудивительно, что первыми на DDR5 перейдут суперкомпьютеры и серверы. Южнокорейский производитель подтвердил намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце текущего года.
Принцип работы DLSS 5 на Nintendo Switch OLED
Поступил в продажу аккумулятор Acebeam AB21CP6425 формата 21700 на 6400 мАч с USB-C за 25 долларов
Oppo A7 Pro за $330: батарея 8000 мАч, защита IP69K, камера Sony, 120 Гц и спутниковая связь
Тихий сверхзвук всё ближе: NASA X-59 завершил 25 испытательных полётов перед ключевым этапом программы
Представлен Poco C95 Pro за $220: батарея 7500 мАч, зарядка 45 Вт, экран 120 Гц и камера 50 Мп
Huawei выпустила мобильный роутер Mobile WiFi 6 Pro с батареей на 7000 мАч и eSIM в Китае
АЛРОСА переведёт корпоративные рабочие станции на Astra Linux до конца 2027 года
Анонсирован мини-ПК Lenovo Legion Challenger с процессором Intel Core Ultra и 64 ГБ ОЗУ