На мероприятии HotChips 33 компания Samsung рассказала подробнее о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.
В этих модулях используются восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них упаковано восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. При этом, работая при напряжении питания всего 1,1 В, она потребляет на 13% меньше электроэнергии.
Вместе с тем, по оценке Samsung, массовый рынок перейдет от DDR4 к DDR5 не ранее, чем в 2023 иди даже в 2024 году. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленным преимуществам сопутствует более высокая цена. Неудивительно, что первыми на DDR5 перейдут суперкомпьютеры и серверы. Южнокорейский производитель подтвердил намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце текущего года.
Microsoft может платить пользователям за обучение ИИ на их простаивающих видеокартах
Colorful выпустила жидкостное охлаждение Star Wind S1 для ноутбука Hidden Star P16 Pro Star Wind Edition 2026 с RTX 5060
Индия планирует разработать собственный GPU за два года и снизить зависимость от зарубежных чипов
Anthropic показала, как ИИ самостоятельно создаёт научные модели
Глава Nvidia признался в романе с возможной китайской шпионкой
До 80 часов автономной работы: Bloody представила три беспроводные игровые гарнитуры
Новогодняя ёлка? Нет, Lily58 с подсветкой и кастомным прозрачным корпусом
Apple сделает Siri ИИ-агентом