На мероприятии HotChips 33 компания Samsung рассказала подробнее о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.
В этих модулях используются восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них упаковано восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. При этом, работая при напряжении питания всего 1,1 В, она потребляет на 13% меньше электроэнергии.
Вместе с тем, по оценке Samsung, массовый рынок перейдет от DDR4 к DDR5 не ранее, чем в 2023 иди даже в 2024 году. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленным преимуществам сопутствует более высокая цена. Неудивительно, что первыми на DDR5 перейдут суперкомпьютеры и серверы. Южнокорейский производитель подтвердил намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце текущего года.
В Москве 21–23 октября пройдёт тренинг по созданию визуального контента с ИИ
GitFlic 5.0.0 перешёл на Axiom Spring и сервер приложений Libercat
На АстраКонф представили «Астра 2.0», поддержку до девяти лет и ИИ-агентов
Astra Automation 2.0 прошла проверку совместимости с «Боцманом» 3.0
В М.Видео продажи восстановленных Android-смартфонов выросли на 13% перед 1 сентября
В Termidesk объяснили риски аварийного отключения шлюзов NetScaler
Maruga провела более 50 вебинаров на МТС Линк за год
Зонд JUICE совершит близкий пролёт Земли для разгона до 39 600 км/ч по пути к Юпитеру