Samsung Galaxy S26 Ultra получит сверхбыструю память

По слухам, Samsung Galaxy S26 Ultra будет оснащён флагманским чипом Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, что само по себе обеспечит значительный прирост производительности по сравнению с Galaxy S25 Ultra. Однако ускорение работы смартфона будет результатом не только улучшенных CPU и GPU, но и применения принципиально новой оперативной памяти — LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гбит/с, о чём сообщил инсайдер Ice Universe.

Samsung Galaxy S25 Ultra. Изображение: Samsung

Для сравнения: в Galaxy S25 Ultra используется LPDDR5X на 8,5 Гбит/с. Это означает, что в S26 Ultra скорость памяти возрастёт примерно на 25 %, что обеспечит более стремительный запуск системы, быстрейшее переключение между приложениями и улучшенную производительность GPU.

Ещё в апреле 2024 года Samsung анонсировала LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гбит/с, и, по предварительным данным, именно она ляжет в основу Galaxy S26 Ultra. На сегодняшний день ни один производитель не предлагает в мобильном сегменте более быстрой ОЗУ (Micron и SK Hynix выпускают LPDDR5T на 9,6 Гбит/с). Благодаря этому S26 Ultra может стать обладателем самой высокоскоростной оперативной памяти среди смартфонов.

Insider Ice Universe первым раскрыл информацию о новом тренде «водопадных» дисплеев на смартфонах, «чёлке» в iPhone X, обновлённом дизайне iPhone 14 и 200-мегапиксельном сенсоре Samsung, опираясь на данные своих источников в R&D-подразделении южнокорейского гиганта.

Источник: iXBT