Крупнейший в мире производитель мобильных телефонов и чипов памяти Samsung Electronics сообщил в пятницу о переговорах по поводу приобретения доли в китайской компании BYD, специализирующейся на выпуске электромобилей, с целью диверсификации своего бизнеса.
weekinchina.com
Samsung пока не договорилась о сумме, которую будет инвестировать в китайскую компанию, поддерживаемую Berkshire Hathaway Inc. американского миллиардера Уоррена Баффета.
Ресурс The Korea Economic Daily сообщил ранее в пятницу, что Samsung согласилась приобрести новые акции BYD на сумму 3 млрд юаней ($449 млн), что обеспечит ей 4 % в уставном капитале автопроизводителя, но китайская компания назвала эти данные неточными.
businesskorea.co.kr
Нынешние новости последовали после неудачи в прошлом месяце в Китае дочернего предприятия Samsung SDI, где он и его конкурент LG Chem были исключены из списка поставщиков, подпадающих под действие правительственных субсидий, несмотря на то, что выпускают батареи на местных производственных линиях. В результате как минимум один китайский автопроизводитель уже прекратил использование батарей Samsung SDI в своих электрических транспортных средствах.
Акции компании Samsung SDI выросли в пятницу в цене на бирже Сеула на 8 % по причине надежд инвесторов на то, что она будет поставлять свою продукцию компании BYD. Однако Samsung отрицает, что проводимые переговоры с китайским автопроизводителем включают обсуждение поставки батарей.
Источник:
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов