Samsung демонстрирует 16-Гбит микросхемы памяти и обещает 256-Гбайт модули в этом году

Компания Samsung продемонстрировала модуль ОЗУ ёмкостью 64 Гбайт на основе микросхем памяти DDR4 ёмкостью 16 Гбит. Подобные устройства позволят создавать DRAM-модули увеличенного объёма с использованием меньшего количество чипов. В перспективе 16-Гбит микросхемы могут быть использованы в том числе для модулей типа LRDIMM ёмкостью 256 Гбайт для серверов

 
Источник: 3DNews

Читайте также