Сотрудники Национального исследовательского университета «МЭИ» разработали усовершенствованный источник излучения для процессов EUV-литографии, который демонстрирует более высокую эффективность по сравнению с существующими решениями. Достижение стало возможным благодаря добавлению лития в гелиевый плазменный заряд. Новый источник обещает улучшить производство интегральных схем, применяя более тонкие технологические процессы и усиливая производительность. На данный момент разработка находится на стадии создания прототипа, однако в будущем планируется её внедрение в отечественные литографические установки.
«В МЭИ создали экспериментальный образец источника излучения в экстремальном ультрафиолетовом спектре. Проведение экспериментов с добавлением лития к гелиевому плазменному разряду продемонстрировало возможность создания стационарного источника, актуального для технологии ЭУФ-литографии. Этот метод используется в микроэлектронике для уменьшения размеров элементов схем, что способствует увеличению их быстродействия и уменьшению габаритов изделий», — сообщили представители университета.
Источник: iXBT
