По данным Cnews, коллектив учёных МФТИ и Института теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН сформировал диод на сверхпроводниках, предназначенный для электроники следующего поколения и квантовых вычислительных платформ.
Исследователям удалось получить сверхпроводящий диод, исследуя специфические реакции квантовой системы на микроволновое излучение. В основе решения лежит оригинальная гибридная структура: в единую микроскопическую систему объединены два различных сверхпроводника. При обычных условиях её параметры оставались стандартными, однако под действием микроволнового облучения проявили новые свойства.
В условиях микроволнового облучения амплитуда диодного эффекта возрастает в десятки раз, что практически исключает потери энергии на тепловыделение и делает компонент перспективным для энергоэффективных квантовых устройств нового поколения.
Источник: iXBT
