Проектирование чипов на нитриде галлия без правок: представлена новая платформа для точной разработки

Компании Keysight Technologies и WIN Semiconductors, ведущий тайваньский производитель полупроводников, представили объединенный программно-аппаратный комплекс для проектирования радиочастотных микросхем на базе нитрида галлия (GaN). Технология позволяет достичь высокой точности проектирования с первой попытки, что существенно сокращает издержки на итерации и значительно ускоряет коммерциализацию новых устройств.

Новинка объединяет в себе инструменты для симуляции схем, 3D-верификации топологии, а также проектирования печатных плат и тестовой оснастки. Решение базируется на интеграции PDK-комплекта WIN NP 120P с мощным ПО Keysight Advanced Design System (ADS), которое является отраслевым стандартом в разработке высокочастотных электронных компонентов.

Основная задача платформы — минимизировать производственные риски. Любая неточность в проектировании кристалла обычно влечет за собой многократные доработки и повторный запуск техпроцесса, что оборачивается для разработчиков недельными простоями и существенным увеличением себестоимости продукции.

Внедренная система дает возможность проводить комплексное моделирование, охватывающее не только сам чип, но и всю цепочку компонентов: от корпуса и печатной платы до измерительных комплексов. Это позволяет верифицировать корректность работы устройства в условиях, приближенных к реальным эксплуатационным сценариям, еще до отправки чертежей на завод.

Разработка адресована создателям радиочастотных GaN-микросхем, используемых в инфраструктуре 5G, спутниковых коммуникациях, современных Wi-Fi-системах и радарах. Эксперты прогнозируют, что к 2031 году объем глобального рынка подобных решений составит 2,77 млрд долларов.

Источник: iXBT