Первый смартфон со встроенным в экран дактилоскопическим сенсором Synaptics выпустит Vivo
Китайский производитель смартфонов Vivo, занявший в рейтинге IDC пятое место среди крупнейших в мире брендов мобильных телефонов в первом квартале 2017 года, начнёт использовать для своих устройств дисплеи со встроенным датчиком отпечатков пальцев. Это позволит отказаться от отдельного дактилоскопического сенсора, устанавливаемого под экраном или на тыльной панели смартфона.

Это стало возможным благодаря разработке компании Synaptics, которая производит компоненты интерфейса ввода, включая сенсорные панели для ноутбуков. На этой неделе Synaptics объявила, что разработала оптический датчик отпечатков пальцев, который позволяет сканировать отпечатки через 1-мм стекло, даже если касаешься экрана влажной рукой. Synaptics также утверждает, что её система Clear ID работает в два раза быстрее, чем функция распознавания лица Apple Face ID, для которой требуется камера TrueDepth.

Решение Vivo начать сотрудничать Synaptics станет ударом для Qualcomm, которая тоже работает над технологией идентификации пользователя. Этим летом на выставке Mobile World Congress Shanghai 2017 компания Vivo продемонстрировала прототип дисплея со встроенным ультразвуковым сканером Qualcomm Fingerprint Sensor for Display, но, как утверждают эксперты, он не отличался высокой скоростью распознавания.
Источник: 3DNews
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов