В прошлом году компания OnePlus выработала новый порядок анонсов своих новинок, согласно которому в конце первого полугодия она представляет очередное поколение «убийцы флагманов», а в конце второго — его усовершенствованную версию с литерой «T» в названии. Если верить обнаруженному в Интернете приглашению, то в отношении OnePlus 5 китайский бренд сохранит эту традицию.

В тизере указаны дата и место проведения мероприятия — 5 ноября, город Шэньчжэнь, а под этой надписью на тёмно-синем фоне вечернего неба проступает силуэт смартфона с узкими рамками дисплея и буквой «Т». Косвенно это приглашение подтверждает ранее появлявшиеся слухи о том, что главной особенностью OnePlus 5T станет «безрамочный» 6-дюймовый экран с соотношением сторон 18:9 и разрешением 2160 × 1080 точек.
А вот аппаратная платформа у новинки, согласно утечкам, останется прежней. Собственно говоря, менять её производителю не на что — в нынешнем году Qualcomm не выпустила более быструю модификацию Snapdragon 835. Напомним, что прошлогодний OnePlus 3T отличался от OnePlus 3 тем, что был построен на базе чипсета Snapdragon 821, представлявшего собой слегка разогнанную версию Snapdragon 820.
OnePlus 5
Своеобразным предвестником скорой премьеры OnePlus 5T можно также считать исчезновение из продажи в ряде стран «базового» OnePlus 5. Сама модель на официальном сайте компании присутствует, но для некоторых рынков, включая американский, она помечена как отсутствующая на складе.
Источник:
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов