Новая технология ASML увеличит производительность оборудования для выпуска чипов в полтора раза

Корпорация ASML анонсировала перспективную технологию, нацеленную на существенное масштабирование объемов выпуска полупроводников. Впрочем, практическое внедрение разработки состоится не в ближайшие пару лет, а в более отдаленной перспективе.

Согласно прогнозам компании, к завершению текущего десятилетия ее клиенты смогут обрабатывать до 330 кремниевых подложек ежечасно на каждой установке. Учитывая, что современные показатели ограничены 220 пластинами, ожидаемый прирост эффективности составит внушительные 50%.

Подобный технологический рывок стал возможен благодаря увеличению мощности литографических систем до 1000 Вт, что более чем наполовину превышает возможности актуального инструмента NXE:3800E. При этом представители компании заявляют, что уже видят четкий вектор развития для достижения 1500 Вт, а переход к планке в 2000 Вт не имеет видимых технических препятствий.

Принцип работы современных EUV-сканеров основан на воздействии импульсов CO₂-лазера на микроскопические капли олова. Данный метод позволяет генерировать EUV-излучение мощностью около 600 Вт, достигая в лабораторных условиях пика в 740 Вт. Чтобы преодолеть порог в 1000 Вт, инженерам ASML пришлось вдвое увеличить интенсивность подачи олова (до 100 000 капель в секунду) и внедрить двойную последовательность лазерных импульсов вместо стандартной одиночной.

Ожидается, что новая технология найдет применение в серийном оборудовании ASML ориентировочно к 2030 году или чуть позже.

Источник: iXBT