В РФ разрабатывают флеш-память со сроком хранения данных в сотни лет
Специалисты Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН разработали инновационную концепцию энергонезависимой флеш-памяти, отличающейся исключительной радиационной устойчивостью и рекордной сохранностью информации. В перспективе подобные микросхемы найдут применение в аэрокосмической отрасли — на борту спутников, межпланетных станций с ядерными реакторами, а также в перспективных орбитальных дата-центрах. Источник изображения: ИИ Gemini Фундаментом новой технологии стали...









