Южнокорейский гигант Samsung разработал модуль памяти, удостоенный высшей государственной награды. В рамках технологического фестиваля в Сеуле почёт достался 3-гигабайтной GDDR7 с эффективной тактовой частотой 40 ГГц.
Напомним, что в видеокартах серии RTX 50 модули объёмом 2 ГБ функционируют на частотах 28–30 ГГц. Samsung анонсировала свою GDDR7 ещё прошлой осенью, и на сегодняшний день это самый быстрый из заявленных образцов. Тем не менее сроки её коммерческого внедрения пока не определены — возможно, она появится в следующем поколении видеокарт RTX 60.
Также сообщается, что 3-гигабайтные чипы запланированы для карт RTX 50 Super, запуск которых ожидается в 2026 году (если проект не будет отменён). Однако вряд ли им суждено работать на аналогичной ультравысокой частоте: Samsung предлагает решения с тактовыми частотами 32–36 ГГц, а у Hynix имеются близкие по характеристикам образцы.
Следует отметить, что это уже двенадцатый случай, когда Samsung получает президентскую награду — это рекорд среди всех компаний. В 2022 году компания была отмечена за 14-нанометровую память DDR5, а в 2017 году — за 64-слойную флеш-память V-NAND.
Источник: iXBT
