Китайский производитель CXMT опережает Samsung и бросает вызов мировым лидерам памяти

Ведущий китайский чипмейкер ChangXin Memory Technologies (CXMT) намерен уже к завершению 2026 года презентовать серверные планки памяти DDR5 RDIMM, базирующиеся на передовой ячеечной архитектуре 4F². В случае реализации этих планов компания опередит южнокорейского гиганта Samsung приблизительно на 24 месяца, поскольку тот планирует освоить аналогичный техпроцесс лишь к 2028 году. Об этом в ходе Шанхайской конференции по интегральным схемам и чиплетам заявил глава CXMT Цао Каньюй.

Модификации RDIMM ориентированы на серверный сегмент, дата-центры и тяжелые вычислительные комплексы. Переход на стандарт 4F² уменьшает физическую площадь отдельной ячейки DRAM в сравнении с классической компоновкой 6F². Это дает возможность сократить занимаемую ячейкой площадь примерно на 33% и интегрировать больше кристальной памяти на подложку. Ожидаемый прирост емкости варьируется в диапазоне от 30% до 50%.

Инженеры CXMT ведут исследования в области архитектуры 4F² с 2021 года. Согласно инсайдерским сведениям, перспективные чипы могут выпускаться в синергии с 15-нанометровым техпроцессом DRAM класса G5, хотя дебютные партии могут задействовать лишь отдельные элементы новой концепции.

Параллельно предприятие совершенствует технологические нормы High-k Metal Gate (HKMG), минимизирующие токи утечки и снижающие общее энергопотребление транзисторной сетки. Данный метод задействует диэлектрики с повышенным коэффициентом диэлектрической проницаемости, включая оксид гафния, в паре с металлическими затворами.

К исходу 2026 года китайский вендор планирует нарастить выпуск продукции до 300 тысяч кремниевых пластин диаметром 300 мм ежемесячно. Параллельно развивается производство стековой памяти HBM, востребованной в сфере искусственного интеллекта, а также возводятся новые производственные линии в Хэфэе и Шанхае. В перспективе суммарная производительность способна вырасти до 600 тысяч пластин ежемесячно, а ряд экспертов прогнозирует, что к 2030 году CXMT сможет превзойти показатели Micron по объемам выпуска. Реализация этих прогнозов напрямую зависит от поставок литографического оборудования, процента выхода годной продукции и рыночной конъюнктуры.

В свою очередь, корпорация Samsung проектирует собственную вариацию 4F² в рамках проектных норм D0a, ранее фигурировавших как B1b. Южнокорейские инженеры намерены применить технологию гибридного соединения кремниевых пластин, объединяющую матрицу памяти с логическими блоками управления. Подобная методика обеспечивает максимальную плотность компоновки, однако сопряжена с необходимостью использования сложнейшего оборудования и потенциальным ростом себестоимости. Массовый выпуск таких микросхем намечен на 2028 год.

Несмотря на то, что глобальный рынок DRAM по-прежнему контролируют тройка лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron, компании CXMT удается стремительно сокращать технологическое отставание.