Китайская CXMT нашла способ производства DRAM нового поколения без западного оборудования

Китайский чипмейкер CXMT (ChangXin Memory Technologies) приступил к освоению передовой методики межчипового соединения Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding при создании оперативной памяти нового типа. Инженеры рассчитывают, что внедрение гибридной сборки позволит существенно нарастить плотность размещения компонентов и ускорить быстродействие модулей, исключив при этом необходимость использования дорогостоящего EUV-оборудования.

Инновационный подход подразумевает отказ от классических микроконтактов в пользу прямого сопряжения кремниевых подложек. Подобное решение минимизирует протяженность токопроводящих путей, что ведет к снижению энергозатрат и уменьшению задержек (latency), а также позволяет значительно уплотнить компоновку кристалла.

В настоящий момент CXMT проводит серию тестов на своей опытно-производственной площадке в Хэфэе. Стратегия компании предполагает раздельное изготовление массива ячеек хранения данных и логической управляющей схемы на разных пластинах. Такой подход позволяет оптимизировать техпроцессы под конкретные задачи каждого узла, обеспечивая тем самым более высокую экономическую и техническую эффективность выпуска продукции.

Напомним, что, по данным отраслевых источников, Apple рассматривает партнерство с CXMT в качестве перспективного канала поставок DRAM. Интерес «яблочной» корпорации обусловлен не столько стремлением к удешевлению закупок, сколько острой потребностью в диверсификации цепочек поставок на фоне глобального дефицита памяти, провоцируемого взрывным ростом сегмента ИИ-инфраструктуры.

Источник: iXBT