Китай сокращает отставание от лидеров рынка NAND и DRAM без EUV-литографии: YMTC и CXMT задерживаются от Samsung и SK hynix всего на пару лет

Китайские игроки на рынке памяти стремительно ликвидируют технологическое отставание от глобальных лидеров. Согласно аналитике Корейской ассоциации полупроводниковой индустрии (KSIA), на сегодняшний день КНР уступает Южной Корее всего год в сегменте NAND, два года — в производстве DRAM и примерно три года — в наиболее технологически сложном направлении HBM. Напомним, еще недавно этот разрыв исчислялся пятилетним периодом.

Локомотивами этого прорыва выступают два гиганта: YMTC, сфокусированная на NAND-памяти, и CXMT, развивающая направление DRAM. Наиболее динамично Китай сокращает дистанцию в сегменте флеш-памяти. Так, если Samsung и SK hynix приступили к внедрению NAND с вертикальной компоновкой более чем на 300 слоев в 2025 году, то YMTC уже успешно освоила 270-слойные кристаллы.

В сфере выпуска DRAM отставание оценивается в двухлетний период. Хотя южнокорейские вендоры первыми освоили стандарт DDR5, компания CXMT стремительно нагоняет конкурентов, наладив выпуск LPDDR5X и приступая к освоению мобильной памяти следующего поколения.

С высокоскоростной памятью HBM ситуация выглядит сложнее. Поскольку эти чипы критически важны для систем искусственного интеллекта, отставание CXMT здесь составляет около трех лет. Предприятие уже запустило мелкосерийный выпуск HBM3E, однако уровень выхода пригодных чипов пока не превышает 25%. Главным камнем преткновения остается формирование стабильных вертикальных интерконнектов между многочисленными кристаллографическими слоями.

Для преодоления технологических барьеров CXMT задействует наработки в области архитектуры X-Stacking от компании YMTC, а также технологию гибридного соединения «медь-медь». Подобное инженерное решение позволяет сократить длину сигнальных путей между уровнями и частично нивелировать ограничения классических методов корпусирования.

Примечательно, что вся эта экспансия происходит в условиях жестких санкций и полного отсутствия доступа к передовым EUV-сканерам.

Параллельно китайские производители колоссальными темпами наращивают объемы выпуска продукции. Так, CXMT планирует довести производительность трех своих заводов до 300 тысяч кремниевых пластин диаметром 300 мм ежемесячно, а мощности под выпуск HBM могут составить порядка 50 тысяч единиц в месяц. Строительство новых производственных площадок в Шанхае и Хэфэе в перспективе позволит поднять суммарный объем до 600 тысяч пластин ежемесячно.

Успешная реализация этих амбициозных планов к 2030 году позволит CXMT превзойти американскую Micron по физическим объемам выпуска DRAM. Впрочем, валовые показатели не гарантируют автоматического технологического или финансового лидерства. Параллельно китайский производитель внедряет передовую транзисторную архитектуру High-k Metal Gate (HKMG), минимизирующую токи утечки и энергопотребление при дальнейшей миниатюризации. Следующий виток техпроцесса DRAM (поколение G5) ориентирован на нормы около 15 нм.

Не сбавляет обороты и YMTC. Уже к началу 2027 года ее мощности могут возрасти до 300 тысяч пластин ежемесячно, а ввод в эксплуатацию двух новых фабрик к 2028 году поднимет этот показатель до 450–500 тысяч. Для наглядности: аналитики прогнозируют объемы выпуска NAND у компании Samsung на уровне 350 тысяч пластин в месяц к концу 2027 года.

Источник: iXBT