Китай освоил выпуск передовой памяти HBM3, но из-за нехватки западных технологий 80% продукции идет в брак

Китайскому производителю CXMT пока не удается наладить стабильный выпуск высокоскоростной памяти HBM3, востребованной в сфере искусственного интеллекта. Как сообщает южнокорейское издание Chosun, на начальном этапе доля пригодных к использованию восьмислойных микросхем не превышает 25–30%.

Положение дел осложняется на стадии финального тестирования. По инсайдерским сведениям, строгий контроль качества проходят лишь около 70% предварительно отобранных образцов. В конечном счете общая эффективность производства падает до удручающих 18–21%: проще говоря, из сотни готовых HBM-модулей четыре пятых отправляются в брак.

Ключевые преграды кроются не столько в изготовлении самих кремниевых пластин DRAM, сколько в их интеграции в многоярусную архитектуру HBM. В отличие от стандартной ОЗУ, подобные чипы представляют собой вертикальные стеки из нескольких кристаллов, объединенных сквозными межсоединениями типа TSV (Through-Silicon Via).

Технология TSV требует формирования тысяч микроскопических каналов для электропроводки. Согласно имеющимся данным, одна микросхема HBM от CXMT насчитывает порядка 3000 подобных контактов, и эта операция до сих пор вызывает наибольшее количество сбоев. Поскольку малейшая погрешность на любом из этапов бракует весь стек целиком, выпуск HBM оказывается несоизмеримо сложнее традиционной DRAM-памяти.

Ранее CXMT удавалось уверенно укреплять свои позиции в нише классической DRAM, во многом благодаря тому, что мировые лидеры отрасли переориентировали свои мощности на выпуск HBM. Тем не менее, освоение сложнейших многоуровневых конфигураций стало для компании серьезнейшим испытанием.

Источник: iXBT