Суд присяжных Делавэра (США) отклонил иск фирмы AVM Technologies, обвинявшей корпорацию Intel в незаконном использовании запатентованных технологий.

Речь идёт о патенте №5,859,547 на «Динамические логические схемы» (Dynamic logic circuit). Этот документ был выдан Управлением США по патентам и торговым маркам (USPTO) ещё в 1999 году.
Один из авторов документа, Джозеф Тран (Joseph Tran), является президентом AVM Technologies. Его прежняя фирма — Translogic — лицензировала ряд технологий корпорации Intel, однако разработки, описанные в патенте 5,859,547, в их число не вошли.
В 2010 году AVM Technologies обвинила Intel в незаконном применении защищённых разработок в процессорах Pentium 4 и Core 2. Но иск был отклонён в связи с недостаточными доказательствами.

В январе 2015-го AVM Technologies вновь обратилась в суд, заявив, что Intel незаконно использует запатентованные технологии в чипах поколений Sandy Bridge, Ivy Bridge и Haswell. В случае победы истцы могли рассчитывать на получение компенсации в размере до $2 млрд.
И вот теперь суд присяжных снова отклонил иск AVM Technologies с прежней формулировкой — недостаточно доказательств. Кстати, сам господин Тран утверждает, что попросту не мог провести очень дорогостоящую процедуру анализа нарушений Intel, запрошенную ответчиками.
7 лет поддержки и рекордная автономность: Samsung может представить Galaxy S26 FE на презентации 27 августа
Следы воды возрастом 3,7 млрд лет: гигантский марсианский кратер Скиапарелли показали в высоком разрешении
Инженера Samsung осудили на 7 лет тюрьмы за передачу китайской CXMT секретов производства DRAM-памяти
Раскрыты характеристики новых смартфонов Honor: Magic 9 Pro, Win 2, Power 3 и Honor 700
Sony Xperia 10 VIII впервые засветился в тестах: прироста производительности не будет
Микроробот взлетел на звуковых волнах с тягой почти в пять раз больше собственного веса
Российское «искусственное Солнце»: Росатом создает принципиально новый токамак
Альтернатива литию: для безопасных водных цинк-ионных аккумуляторов разработан электрод емкостью 368,7 мА·ч/г