Intel обогнала TSMC на несколько лет: массовое внедрение High-NA EUV отложено до 2030 года

Будучи признанным лидером полупроводниковой индустрии, тайваньская TSMC планирует внедрить передовое оборудование для High-NA EUV литографии лишь к 2030 году.

На текущей неделе руководство корпорации впервые открыто озвучило сроки освоения данной технологии, хотя прежде избегало подобных прогнозов. Конкретные нормы, которые первыми задействуют High-NA EUV, пока не названы, однако эксперты могут сделать вполне обоснованные выводы.

Согласно актуальной технологической карте TSMC, рассчитанной до 2029 года, на этот период намечен запуск техпроцессов A12 и A13. Соответственно, в 2030 году очередь дойдет до уровня A11 и A10, что соответствует границе перехода на 1-нанометровые нормы.

Стоит напомнить, что главный конкурент в лице Intel уже располагает тремя дорогостоящими установками High-NA EUV от ASML (стоимость каждой оценивается в 400–500 млн евро) и успел обработать с их помощью свыше миллиона кремниевых пластин. На сегодняшний день это рекордный показатель для всего рынка, поскольку масштабное серийное производство на таком оборудовании больше не развернул никто.

Источник: iXBT