GlobalFoundries добавила 12-нм нормы в свои планы развития FD-SOI

При мысли о компании GlobalFoundries у большинства сегодня возникает ассоциация с её 14-нм производственными нормами на основе транзисторов FinFET, по которым производятся чипы для видеокарт AMD Polaris. Но это лишь один из техпроцессов, которые GlobalFoundries предлагает своим клиентам. Например, другими популярными нормами являются 22-нм 22FDX на основе планарных транзисторов и технологии полностью обеднённого кремния на изоляторе (FD-SOI).

Компания отмечает, что 22FDX хорошо подходит для тех случаев, когда клиенту нужна высокая производительность, относительно низкое энергопотребление и доступная стоимость производства, особенно в продуктах, где необходимо интегрировать радиомодемы, аналоговые модули, память и логику на одном чипе. Дело в том, что по производительности и другим характеристикам он приближается к 14/16-нм нормам FinFET, но при этом не требует использования дорогой EUV-литографии, а кристалл требует вдвое меньше масок, хотя и занимает заметно больше площади. В результате достигается относительно невысокая стоимость, на уровне 28-нм норм.

По заявлению GlobalFoundries, следующее поколение технологии, 12FDX, сможет обеспечить производительность на уровне с 10-нм техпроцессом FinFET, отличаясь при этом большей энергоэффективностью и меньшей стоимостью по сравнению с 16-нм нормами FinFET. Преимущество над современными технологиями FinFET по производительности составит 15 %, а по энергоэффективности — 50 %.

GlobalFoundries собирается освоить 12-нм нормы FD-SOI на своей фабрике Fab 1 в Дрездене (Германия). Но произойдёт это не скоро — полупроводниковая кузница ожидает, что первые чипы достигнут стадии готовности к производству (tape out) на этом техпроцессе лишь в первой половине 2019 года.

Источник:

12-нм, fd-soi, GlobalFoundries, soi, техпроцесс

Читайте также