Computex 2018: твердотельные накопители GALAX в различных исполнениях
Компания GALAX демонстрирует на выставке Computex 2018, проходящей сейчас на Тайване, новые твердотельные накопители в разных форм-факторах.

В число представленных изделий вошла модель GALAX E12, пополнившая семейство продуктов Hall of Fame (HOF). Это устройство выполнено в виде карты расширения с интерфейсом PCI Express Gen.3 x4. Применены микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND и контроллер Phison PS5012-E12. Вместимость составляет 1 Тбайт. Скорость последовательного чтения информации достигает 3400 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 3000 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) — до 600 тыс. при работе с блоками данных по 4 Кбайт.

Кроме того, представлен твердотельный накопитель GALAX One, выполненный в 2,5-дюймовом формате. Это решение полагается на интерфейс Serial ATA 3.0. В составе изделия применяются чипы MLC NAND и контроллер Phison PS3111-S11. Ёмкость составляет 240 Гбайт. Скорости последовательного чтения и записи достигают соответственно 520 Мбайт/с и 460 Мбайт/с. Величина IOPS на операциях чтения и записи — до 90 тыс. и до 80 тыс.

Наконец, представлен накопитель GALAX GamerRGB типоразмера 2,5 дюйма. Это устройство использует контроллер PS3111-S11 и интерфейс Serial ATA 3.0. Особенность заключается в наличии подсветки. Вместимость равна 256 Гбайт. Скоростные показатели не раскрываются.
Источник: 3DNews
Банки внедряют ИИ для сокращения запасов наличности в банкоматах на 40%
Односторонняя аномалия мантии Марса удивила ученых
NASA отправит три марсианских вертолета на поиск подповерхностного льда
Xiaomi 14 Pro оснастят увеличенной батареей в официальном сервисе
Самолёт «Байкал», призванный заменить «Кукурузники», испытали на сваливание, штопор и минимальную скорость
CD Projekt Red показала 12 минут игрового процесса дополнения The Witcher 3: Wild Hunt — Songs of the Past
Смещение атома на полмикрона: физики впервые зафиксировали эффект Магнуса в оптическом поле
Импульсный термоядерный реактор Texatron выдал 32,6 ГВт за микросекунду в новых расчетах инженеров