По данным ассоциации SIA, с девяностых годов прошлого века доля продукции из США на мировом рынке полупроводниковых компонентов сократилась с 37 до 12 %. Озабоченность властей необходимостью усилить локализацию производства чипов приведёт к тому, что через пять лет на территории США будет выпускаться до 27 % продукции с использованием передовой литографии.
К последней, по мнению специалистов Counterpoint Research, относятся техпроцессы с нормами ниже 10 нм. О своих планах построить современные предприятия на территории США объявили TSMC и Samsung, а корпорация Intel в уходящем месяце дала понять, что к середине десятилетия освоит в штате Огайо выпуск чипов по передовой технологии Intel 18A. На строительство предприятий компанией выделено $20 млрд, а всего инвестиции в площадку на территории штата Огайо к концу десятилетия могут достичь $100 млрд.
В 2021 году объёмы капитальных вложений в полупроводниковой отрасли выросли до $146 млрд, по данным Gartner, это почти в два раза больше, чем было вложено за предыдущие пять лет. В прошлом году выручка от реализации полупроводниковых компонентов выросла на 25 % до $583,5 млрд. К середине десятилетия торговый оборот полупроводниковой отрасли может достичь $693 млрд, а к 2030 году покорить рубеж в $1 трлн. Это позволит полупроводниковой промышленности превзойти по объёму выручки все предприятия быстрого питания в мире.
Сейчас рынок продолжает страдать от острого дефицита чипов. Американские производители столкнулись со снижением складских запасов компонентов до четырёхдневной нормы, а среднее время поставки чипов выросло с традиционных десяти до двадцати пяти недель. Цены на кремниевые пластины, из которых изготавливаются чипы, могут вырасти на 15 %, по прогнозам экспертов, лишь усиливая инфляционное давление на отрасль. Эксперты Bain опасаются, что активное наращивание производственных мощностей к 2025 году сможет вызвать кризис перепроизводства, но большинство участников рынка сейчас сходится во мнении, что спрос надолго закрепился на новом уровне и продолжит расти в дальнейшем.
