512 ГБ памяти DDR5 одним модулем. Samsung анонсировала модули ОЗУ с очень плотной компоновкой чипов

Samsung анонсировала память DDR5-7200 МГц, особенностью которой является не только высокая частота, но и очень плотная компоновка чипов. Применение восьмислойных чипов вместо четырехслойных, а также уменьшение расстояния между ними, позволило довести объем одного модуля DIMM до 512 ГБ.

Samsung вполне естественно говорит о том, что новая память не только будет предлагаться в больших вариантах объема, но еще и энергоэффективнее, но это и так понятно, ведь напряжение DDR5 составляет 1,1 В против 1,2 В у DDR4.

А вот когда анонсированные модули памяти объемом 0,5 ТБ появятся в продаже, пока не сообщается. Но на потребительском рынке в ближайшей перспективе их точно можно не ждать.