В Шанхае введена в эксплуатацию первая в мире экспериментальная линия по изготовлению процессоров, чья толщина сопоставима с размером нескольких атомов. Эти инновационные компоненты создаются на основе дисульфида молибдена, а выход производства на полную мощность намечен на июнь 2026 года.
Новейшая микросхема объединяет 5900 транзисторов, что на порядки превосходит прежнее мировое достижение для 2D-структур, составлявшее лишь 115 элементов. Использование сверхтонких материалов атомарного уровня позволяет эффективно нейтрализовать проблемы перегрева и токов утечки, которые являются критическими недостатками традиционных кремниевых технологий.
Представленный чип базируется на 32-битной архитектуре, отличается экстремально низким энергопотреблением и способностью обрабатывать массивы данных объемом в гигабайты. Согласно стратегии Shanghai Atomic Technology, к 2026 году планируется достичь технологического уровня, сопоставимого с 90-нм техпроцессом. В 2027 году намечен переход на эквивалент 28-нм, а к 2028 году компания рассчитывает освоить показатели, соответствующие 5-нм и даже 3-нм стандартам.
Источник: iXBT
