Коллектив исследователей из Томского политехнического университета (ТПУ) совместно с экспертами РАН представил передовой метод модификации поверхностей, который позволяет увеличить интенсивность охлаждения микроэлектроники в 20 раз. Подробные результаты научной работы опубликованы в престижном издании International Journal of Heat and Mass Transfer.
Визуализация подготовлена нейросетью ChatGPT
В основе инновационного решения лежит создание теплообменных структур с управляемыми характеристиками смачиваемости. Авторы применили комплексный подход, сочетающий лазерное структурирование, химическое воздействие и процесс термолиза углеводородных соединений. Это позволило сформировать материал с выраженным рельефом и специфическими гидрофильными участками, обеспечивающими максимально эффективный отвод тепловой энергии при умеренном нагреве.
Разработанная технология дает возможность с высокой точностью локализовать и удерживать капли хладагента в зонах пиковых температурных нагрузок. Данное достижение открывает широкие перспективы для проектирования адаптивных систем терморегуляции нового поколения.
Источник: iXBT
