Источники подтверждают информацию о том, что Xiaomi выпустила новую версию прошлогоднего флагманского смартфона, которая получила не только новую однокристальную систему, как считалось ранее.
Пару недель назад поползли слухи о том, что китайский технологический гигант работает над новой моделью Mi 10 с недавно представленной однокристальной системой Snapdragon 870. На прошлой неделе Digital Chat Station заявил, что Xiaomi уже запустила в производство новую версию смартфона Xiaomi Mi 10.
Теперь же стало известно, что смартфон с модельным номером M2102J2SC недавно прошёл сертификацию китайского регулятора 3C, которая подтвердила, что он оснащён зарядным устройством мощностью 33 Вт. Это означает, что новая версия смартфона будет поддерживать более быструю зарядку. Оригинальная модель поддерживает 30-ваттную зарядку.
Snapdragon 870 производится с использованием 7-нанометрового технологического процесса — она включает в себя четыре ядра ARM Cortex-A77 и четыре ARM Cortex-A55, а также графический ускоритель Adreno 650. Главным отличием от Snapdragon 865+ является частота 3,2 ГГц вместо 3,1 ГГц.
Ранее компания Xiaomi официально сообщила о том, что цены на все версии прошлогоднего флагманского смартфона Xiaomi Mi 10 будут снижены. Лу Вейбинг (Lu Weibing), занимающий посты президента Xiaomi Group China и генерального директора Redmi, заявил, что этот флагман до сих пор не имеет недостатков и Xiaomi планирует продавать этот смартфон ещё целый год.
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов