Тайваньский полупроводниковый гигант TSMC намерен приступить к оснащению второй очереди своего предприятия Fab 21 в Аризоне летом следующего года. Как сообщает издание Nikkei, ссылаясь на осведомленные источники, соблюдение этого графика позволит запустить серийный выпуск микросхем по 3-нанометровому техпроцессу (класс N3) в течение 2027 года — на несколько кварталов раньше первоначальных прогнозов.
Согласно данным Nikkei, активная фаза инсталляции оборудования запланирована на третий квартал 2026 года, что обеспечит выход на производственные мощности в 2027-м. Ранее руководство TSMC подтвердило, что возведение основного корпуса Fab 21 Phase 2 завершится в 2025 году. Последующий этап традиционно включает обустройство сложной внутренней инфраструктуры, в том числе инженерных сетей и систем прецизионного климат-контроля.
Сроки монтажа и калибровки оборудования существенно варьируются: если базовые установки настраиваются за считанные дни, то наиболее технологичные литографические сканеры (включая системы EUV и DUV последнего поколения) требуют длительной юстировки. Практический опыт показывает, что на запуск первой волны инструментов и отладку единого технологического цикла уходят месяцы, поэтому даже при старте в 2027 году объемы выпуска 3-нм продукции на начальном этапе будут умеренными.
Источник: iXBT
