Samsung откладывает освоение 3-нанометровой технологии GAAFET
По сообщениям отраслевых источников, компания Samsung отложила запуск производства 3-нанометровой полупроводниковой продукции, в которой используются транзисторы Gate All Around FET (GAAFET). Сам производитель называет этот технологический этап 3GAE. Хотя успех был достигнут еще в прошлом году, сейчас утверждается, южнокорейский гигант начнет выпуск продукции на базе 3GAE не раньше, чем в 2024 году. Первоначальным планом было предусмотрено,...








