1 ТБ памяти в одном модуле DDR5. Samsung работает над таким решением
Компания Samsung, как сообщается, приступила к разработке модулей памяти DDR5 объёмом 1 ТБ. Известно, что рабочее напряжение такой памяти составляет 1,1 В, частота достигает 7200 МГц и выше, а для создания модуля используется 32 банка памяти. Такая память в первую очередь пригодится в серверном сегменте, в том числе для процессоров AMD Epyc поколения Genoa, которые...








