Компания Mitsubishi Electric на этой неделе рассказала о разработке, выполненной совместно с Токийским университетом. Партнеры представили «абсолютно новый механизм повышения надежности силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC)».
Механизм построен на подтверждении предположения, что сера, внедренная под границу между оксидным изолятором затвора и каналом SiC, захватывает часть электронов из протекающего через прибор тока, увеличивая пороговое напряжение. При этом сопротивление в открытом состоянии не уменьшается. Ранее считалось, что сера не является подходящим элементом для использования в силовых полупроводниковых приборах SiC. Ожидается, что разработка приведет к созданию более надежных элементов силовой электроники, обладающих высокой устойчивостью к электромагнитным помехам, которые, как известно, вызывают сбои в работе систем.
Результаты исследования были опубликованы на международной конференции IEDM2018, которая прошла в Сан-Франциско. В планах Mitsubishi Electric — продолжить совершенствовать конструкцию и технические характеристики полевого транзистора на основе оксида металла и карбида кремния (SiC MOSFET).
Источник: iXBT
