Южнокорейский технологический гигант SK hynix анонсировал первый в индустрии 16-слойный стек памяти стандарта HBM4. Новое решение ориентировано на использование в высокопроизводительных ускорителях вычислений для искусственного интеллекта и способно обеспечивать скорость передачи данных до 10 ГТ/с.
Впечатляющие показатели быстродействия обусловлены применением сверхширокого 2048-битного интерфейса. В результате заявленные 10 ГТ/с на 25% превышают базовые спецификации, установленные комитетом JEDEC. Емкость одного такого стека достигает 48 ГБ, а суммарная пропускная способность составляет 2,9 ТБ/с при скорости 11,7 Гбит/с на контакт.
Хотя площадь основания HBM4 остается практически неизменной по сравнению с HBM3/HBM3E (примерно 10,5 × 12,0 мм), новый стандарт допускает увеличение высоты вертикальной сборки — до 950 мкм для 16-Hi против 750 мкм у 12-слойных модулей HBM3. Напомним, что архитектура HBM представляет собой массив микросхем памяти, расположенных друг над другом. Для производства HBM4 используются передовые кристаллы DRAM, изготовленные по техпроцессу 1b-nm, который является пятым поколением литографии 10-нанометрового класса.
Источник: iXBT
