Публикуя квартальный отчет, компания SK Hynix затронула тему памяти DDR5. Южнокорейский производитель подтвердил, что намерен начать массовое производство этой памяти в текущем полугодии. Память DDR5 будет использоваться несколькими платформами следующего поколения от Intel и AMD.
Согласно данным SK Hynix, память DDR5 более чем в два раза превосходит память DDR4 по пропускной способности, тогда как переход от DDR3 к DDR4 в 2013 году сопровождался увеличением пропускной способности на 33%.
Компания также объявила, что скоро начнет поставки микросхем DRAM, выпускаемых по нормам 1anm с использованием EUV-литографии.
Источник: iXBT
