Компания SK hynix объявила, что в этом месяце она начала серийный выпуск 8-гигабитных кристаллов мобильной памяти LPDDR4 DRAM по нормам 1a, которые соответствуют четвертому поколению 10-нанометрового техпроцесса производства памяти.
Напомним, для первых трех поколений использовались обозначения 1x, 1y и 1z. Они соответствовали трем поддиапазонам технологических норм в общем диапазоне 10-19 нм. Хотя производитель не называет конкретное значение, нормы 1a ближе всех к значению 10 нм. Переход на нормы 1a позволяет увеличить количество микросхем в расчете на одну пластину на 25%.
Новая память поддерживает скорость 4266 Мбит/с — самую высокую скорость передачи данных, определенную спецификацией мобильной памяти DRAM LPDDR4. При этом она потребляет на 20% меньше энергии по сравнению с предшественницей.
Поставки новой памяти производителям смартфонов SK hynix рассчитывает начать в этом полугодии.
Отметим, что это первый случай, когда SK hynix применяет оборудование EUV в серийном производстве DRAM. Производитель утверждает, что ему удалось создать «стабильный процесс», поэтому он планирует использовать EUV-литографию всех будущих микросхем, рассчитанных на нормы 1a. Кроме того, с начала будущего года SK hynix рассчитывает перевести на технологию EUV и нормы 1a память DDR5, выпускаемую с октября 2020 года.
Источник: iXBT
