SK Hynix официально представила первые в мире сборки памяти LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения. Новые микросхемы памяти (dynamic random access memory, DRAM) не только обладают увеличенной производительностью и сниженным энергопотреблением шины, но и отличаются уменьшенными размерами. Заинтересованные стороны уже получили образцы микросхем LPDDR4X от SK Hynix, а первые устройства на базе нового типа памяти появятся на рынке в ближайшие месяцы.
Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X
LPDDR4X представляет собой новый стандарт оперативной памяти для мобильных устройств, который базируется на LPDDR4, но обеспечивает снижение энергопотребление подсистемы памяти примерно на 18–20% за счёт снижения напряжение питания шины (VDDQ) до 0,6 Вольт (на 45 %). Все остальные характеристики LPDDR4 (LP4) и LPDDR4X (LP4X) идентичны: внутренняя тактовая частота микросхем 200~266 МГц, предварительная выборка 16n и т. д. Память типа LPDDR4X уже поддержана рядом разработчиков мобильных систем на кристалле (system-on-chip, SoC). Так, MediaTek Helio P20 стал первым мобильным процессором, совместимым с LP4X. Он был анонсирован примерно год назад и первые устройства на его базе появятся в первой половине 2017 года. Кроме того, новый флагманский SoC компании Qualcomm, Snapdragon 835, также поддерживает LP4X. Учитывая, что Snapdragon 835 был анонсирован в ноябре, первые устройства на его базе появятся ещё не скоро.
Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4
8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти SK Hynix LPDDR4X использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 34,1 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Новые модули памяти типа LPDDR4X поставляются в корпусах FGBA размером 12 × 12,7 мм, которые на 30 % меньше корпусов LPDDR4 размером 15 × 15 мм. Сборки SK Hynix LP4X могут быть использованы как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package).
|
Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4X |
||||
| H9HKNNNFBUMU | H9HKNNNFBMMUDR | H9HKNNNEBMMUER | H9HKNNNEBMAUDR | |
| Ёмкость микросхемы памяти | 16 Гбит | 12 Гбит | ||
| Количество микросхем памяти | 4 | |||
| Ёмкость сборки | 8 Гбайт (64 Гбит) | 6 Гбайт (48 Гбит) | ||
| Скорость передачи данных | 4266 Мтрансферов/с | 3733 Мтрансферов/с | ||
| Ширина шины | 64 разряда | 48 разрядов | ||
| Пропускная способность сборки | 34,1 Гбайт/с | 29,8 Гбайт/с | ||
| Упаковка | FBGA | FBGA-376 | FBGA-366 | FBGA-376 |
| Размеры | 12 мм × 12,7 мм | |||
| Напряжение питания | 1,8/1,1/0,6 Вольт | |||
| Технологический процесс | 21 нм | |||
| Время доступности | 2017 | |||
SK Hynix не заявляет точных значений энергопотребления сборок памяти LPDDR4X, но подтверждает, что вследствие снижения напряжения питания шины на 45 % энергопотребление подсистемы памяти в целом упало на 20 % в сравнении с энергопотреблением гипотетической подсистемы памяти LPDDR4, работающей на той же тактовой частоте в одинаковых условиях. Подобное описание не слишком точно, поскольку микросхемы LPDDR4 SK Hynix поддерживают максимальную скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с. Если предложить, что производитель никак не оптимизировал архитектуру самих ячеек памяти у микросхем LPDDR4X по сравнению с предшественниками, но лишь снизил напряжение питания шины до 0,6 Вольта, то подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4X-4266 должна потреблять чуть меньше мощности, чем подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4-3733, но точные данные на сегодняшний день неизвестны.
SK Hynix использует свой 21-нм технологический процесс для изготовления памяти типа LPDDR4 и LPDDR4X. Таким образом, с точки зрения технологии производства, чипы SK Hynix LP4X очень похожи на своих собратьев типа LP4, а энергопотребление самих ячеек памяти идентично.
Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X
Первоначально SK Hynix будет предлагать исключительно модули LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт со скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с на основе микросхем памяти 16 Гбит. Чуть позже компания расширит семейство сборками ёмкостью 6 и 8 Гбайт со скоростями 3733 Мтрансферов/с (уже присутствуют в каталоге продукции) и 3200 Мтрансферов/с. Впоследствии SK Hynix может представить модули LPDDR4X на основе 8-Гбит микросхем, однако такие планы пока упоминаются лишь в официальном блоге компании. Модули памяти LPDDR4X относительно небольшой ёмкости имеют большой потенциал на рынке, поскольку далеко не все смартфоны (и планшеты) будут оснащаться 8 Гбайт ОЗУ в этом году. По оценкам аналитиков из IHS Markit, средний телефон высокого ценового класса будет экипироваться 3,5 Гбайт оперативной памяти (имеются в виду аппараты с 2, 3, 4, 6 и 8 Гбайт памяти). При этом стоит помнить, что требования к объёму ОЗУ у Apple iOS и Google Android существенно отличаются, смартфоны на базе последней требуют больше DRAM, и Android-аппараты с 4 Гбайт оперативной памяти станут весьма распространёнными в этом году. Что касается устройств на базе iOS, то флагманские iPhone 7 и iPhone 7 Plus оснащены лишь 2 и 3 Гбайт памяти соответственно.
По заявлениям компании, производство модулей памяти LPDDR4X-4266 8 Гбайт уже началось. Мобильные устройства на базе новой памяти, как ожидается, появятся на рынке в ближайшие месяцы, и весьма вероятно, что производители могут продемонстрировать свою продукцию на основе MediaTek Helio P20 и LPDDR4X на выставке MWC уже в феврале.
Источник:
