Компания SanDisk, известная своими флеш-накопителями, объявила о разработке передовой памяти под названием 3D Matrix Memory. Этот новый тип памяти обещает заменить традиционную память DRAM, предоставляя такую же производительность, но с увеличенной в четыре раза емкостью и сниженными в два раза затратами.
Анонс 3D Matrix Memory состоялся на недавней тематической встрече инвесторов SanDisk 2.0, где компания также представила различные новинки среди твердотельных накопителей, включая модель с объемом в 128 Терабайт, предназначенную для дата-центров. Вдобавок, SanDisk рассказала о своих смелых планах по выпуску более емких накопителей: SSD объемом 256 ТБ к 2026 году, 512 ТБ в 2027 году и невероятных 1 ПБ через несколько лет.
Технология 3D Matrix Memory создается SanDisk в партнерстве с научным центром IMEC. Она базируется на архитектурах плотных массивов с инновационными конструкциями ячеек памяти, при этом оставаясь совместимой с существующими международными стандартами, такими как CXL.
По данным SanDisk, 3D Matrix Memory создана для преодоления вызова «стены памяти», где ёмкость и быстродействие памяти не соответствуют возросшим требованиям обработки данных. Это технологическое решение позиционируется как ответ на замедление прогресса DRAM, вызванное окончанием действия закона Мура, отставанием вычислительных мощностей от запросов памяти, и нарастающими затратами производства.
По уверению SanDisk, эффективность технологии 3D Matrix Memory будет только возрастать. Презентованные прогнозы компании указывают, что к шестому году производства ее использование позволит сократить расходы на бит более чем на 50% по сравнению с DRAM, предлагая значительно более резкое падение стоимости за гигабайт.
Разработка 3D Matrix Memory предусматривает несколько ключевых этапов. Одним из достижений станет переход от исследовательской фабрики Western Digital с 150-мм пластинами к 300-мм производственным мощностям IMEC в 2024 году, что ознаменует значительный шаг к массовому производству.
Проект, начавшийся в 2017 году, развивался от создания отдельных устройств, через пассивные массивы, до разработки КМОП-структур. Следующим важным этапом станет выпуск первых образцов, которые, согласно планам, достигнут емкости 32-64 Гбит, но детальные характеристики производительности пока не раскрываются.
Источник: iXBT
