На мероприятии Samsung Tech Day 2022, президент Samsung Electronics и глава подразделения, которое занимается модулями памяти, Чон Бэ Ли сказал, что Samsung произвела в общей сложности 1 триллион ГБ памяти за более чем 40 лет, при это около половины этого объема было выпущено за последние три года.
Samsung заявила, что является лидером в области DRAM и NAND в течение 30 и 20 лет соответственно. В настоящее время Samsung разрабатывает DRAM 10-нанометрового класса (1b) пятого поколения, а также «вертикальную» память NAND восьмого и девятого поколений (V-NAND), обещая продолжать предоставлять самую мощную комбинацию технологий памяти в следующем десятилетии.
По словам Чон Бэ Ли, достижения в области пропускной способности, емкости и энергоэффективности памяти породили новое поколение платформ, что, в свою очередь, стимулировало появление новых полупроводниковых инноваций. При этом Samsung будет стремиться к более высоким уровням цифровой эволюции.
Samsung подтвердила свою главную цель — придерживаться клиентоориентированной философии развития, расширяя партнерские отношения. Samsung откроет Исследовательский центр памяти Samsung (SMRC), где клиенты и партнеры смогут тестировать и проверять решения памяти и программного обеспечения Samsung в различных серверных средах. Начиная с открытия первого SMRC в Южной Корее в четвертом квартале этого года, Samsung планирует продолжить работу с партнерами по экосистеме, такими как Red Hat и Google Cloud, чтобы открыть больше центров в США и по всему миру.
Источник: iXBT
